Produktnummer:
131489
EVERLIGHT Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;
0,12 €*
inkl. MwSt. zzgl. Versand
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
Top-Features:
- Doppel-Fototransistor PT5529B von EVERLIGHT
- NPN-Transistor mit gemeinsamen Kollektor
- Wellenlänge 400-940-1100 nm
- Empfindlichkeit 0,13 … 1,1 mA @ 0,555 mW/cm²
- VCE max. 30V mA, VEC max. 5V
EVERLIGHT Fototransistor PT908-7C; NPN; Tageslicht und Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;
Produktnummer:
131488
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
EVERLIGHT Fototransistor PT204-6C; NPN; Tageslicht und Infrarot; 3 mm rund;
Produktnummer:
131487
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
EVERLIGHT Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund;
Produktnummer:
131490
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
Produktinformationen "EVERLIGHT Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse; "
Schneller, empfindlicher Doppel-Fototransistor mit gemeinsamen Kollektor; im schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.
Technische Daten:
- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm
- Empfindlichkeit: 0,13 … 1,1 mA @ 0,555 mW/cm², VCE= 5V
- Öffnungswinkel: k. A.
- VCE max.: 30V mA
- VEC max.: 5 V
- IC max.: 20 mA
- IC off: 100 nA @ Vce=20 V
- tr: 15 µsec
- tf: 15 µsec
- PVmax: 75 mW @ 25 °C
- Temp. Bereich: -25 … 85 °C
- Gehäuse: 4,5 x 4,8 x 2,8 mm mit Seitenlinse 1,5 mm
- Montage: THT
Verfügbare Downloads
Anmelden