Transistoren
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Uds 55 V, Id25 85 A, Rds(on) 0,011 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 13 ns, td(off) 39 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 85 A-
Bestellnr.: 131231
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Leistungs-Darlington-Transistor für Leistungsintensive SchalteranwendungenTechnische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 100 V- Kollektor-Basis-Spannung: 100 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 20 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 160
Bestellnr.: 131545
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-60%
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Für Nf-Verstärker und SchaltanwendungenTechnische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 40 V- Kollektor-Basis-Spannung: 75 V- Emitter-Basis-Spannung: 6 V- Kollektorstrom: 0,6 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,625 W- Betriebstemperatur: -55 - 150
Bestellnr.: 131527
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Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = BC557ATechnische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V-Kollektor-Basis-Spannung: 50 V- Emitter-Basis-Spannung: 6 V- Kollektorstrom: 0,1 A- maximaler Kollektorstrom: 0,2 A- Verlustleistung
Bestellnr.: 131534
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Darlingtontransistor für NF-Verstärker- und Schaltanwendungen. Kompl. = BD680Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 80 V- Kollektor-Basis-Spannung: 80 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 4 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 1,25
Bestellnr.: 131510
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Für NF-Verstärker- und Schaltanwendungen, kompl.=2 N3906Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 40 V- Kollektor-Basis-Spannung: 60 V- Emitter-Basis-Spannung: 6 V- Kollektorstrom: 0,2 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,625 W-
Bestellnr.: 131521
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-60%
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-60%
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Uds 30 V, Id25 78 A, Rds(on) 0,0048 Ω, Ugs(th) 1,35 V, td(on) 14 ns, td(off) 16 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 30 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 78 A-
Bestellnr.: 131318
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-48%
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Für HF Verstärker aller Art, bis in den UHF-Bereich (ca. 1000 MHz);Montage THT.Technische Daten:- U DG max:30 V- U GS max: -30 V- I GF max: 10 mA- U GS-off: -0,5 … -8 V- I DSS min: 6 … 13 mA- g fs: 4,5 mA/V @ UGS = 0V; UDS = 15 V- P V max:
Bestellnr.: 131494
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HF-Transistor für VHF und schnelle SchalteranwendungenTechnische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 40 V- Kollektor-Basis-Spannung: 75 V- Emitter-Basis-Spannung: 6 V- Kollektorstrom: 0,8 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,5 W-
Bestellnr.: 131520
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HF-Transistor für VHF und schnelle SchalteranwendungenTechnische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 30 V- Kollektor-Basis-Spannung: 60 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 0,8 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,5 W-
Bestellnr.: 131519
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-60%
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Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper-Verstärker; Impedanzwandler (Fotodioden); NF/(HF)-Verstärker;Konstantstrom-Quellen; Steuerbare Widerstände in Regelschaltungen;Gitarrenverstärker usw.; Montage THT.Weitere J-FETs für diese
Bestellnr.: 131478
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Für NF-Verstärker- und Schaltanwendungen, kompl. = 2N3904Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 40 V- Kollektor-Basis-Spannung: 40 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 0,2 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,625 W-
Bestellnr.: 131522
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Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 255 W, Ugeth 3,2 V, tdon 19 ns, tdoff 160 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: IGBT- Bauform: TO-247- max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 650 V- max. Continuous Collector Current at
Bestellnr.: 131155
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für Schaltaufgaben mit kleinem Ron (1,7 Ohm) und kurzen Schaltzeiten (typ 20 ns)Technische Daten:- Drain-Source-Spannung: 60 V- Drainstrom: 115 mA- Drain-Source-Einschaltwiderstand: 1,7 Ohm- Eingangskapazität: 20 pF- Ausgangskapazität: 11 pF-
Bestellnr.: 131528
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-64%
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(1)
HF-Transistor, für Videoverstärker, kompl. = BF471Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 300 V- Kollektor-Basis-Spannung: 300 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 0,03 A- maximaler Kollektorstrom: 0,1 A-
Bestellnr.: 131540
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