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365 Artikel
Transistor BC547B, TO-92
(1)
Transistor BC547B, TO-92
Kleinsignal-NPN-Transistor, Uceo 45 V, Ic 100 mA, 300 MHz, hFE 110, TO-92,3-Pin
Bestellnr.: 130636

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82% reduziert
STS4DNFS30L
STS4DNFS30L
StripFET MOSFET plus SCHOTTKY Diode. N-Channel, 30 V, 0,044 Ohm, 4 A,
Bestellnr.: 131063

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Transistor, ON Semiconductor, Kleinsignal, BC547CBU
Transistor, ON Semiconductor, Kleinsignal, BC547CBU
Technische Daten:- Polung: NPN - Gehäuse: TO92 - U-max: 45V - I-max: 0,1A - P-max: 0,5W
Bestellnr.: 130370

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MOSFET BS170
MOSFET BS170
N-FET - TO-92 - Ptot: 0,35 W - VDS: 60 V - VGS(th): 2 V - Id: 0,5 A
Bestellnr.: 130268

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Transistor BC327-16, PNP, 45 V, 0,8 A, TO92
Transistor BC327-16, PNP, 45 V, 0,8 A, TO92
Kleinleistungstransistor BC327, PNP, 45 V, 0,8 A, 200 MHz, hFE 100...250,
Bestellnr.: 131383

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52% reduziert
SMD Power MOSFET ON SEMICONDUCTOR NTGS4141N
SMD Power MOSFET ON SEMICONDUCTOR NTGS4141N
Single N-Channel, VDSS 30 V, VGS ± 20 V, RDS(on) 21,5 mOhm, ID 7 A, PD 1 W,
Bestellnr.: 131432

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Transistor BC558B, PNP, 30 V, 0,1 A, TO92
Transistor BC558B, PNP, 30 V, 0,1 A, TO92
Kleinleistungstransistor BC558B, PNP, Uces 30 V, Ucbo 30 V, Ic 100 mA, Ptot 500 mW, hFE 200...450,
Bestellnr.: 130013

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Transistor BC548C, NPN, 30 V, 0,1 A, TO92
Transistor BC548C, NPN, 30 V, 0,1 A, TO92
Kleinleistungstransistor BC548C, NPN, Uces 30 V, Uceo 30 V, Ic 100 mA, Ptot 500 mW, hFE 420...800, TO-92.
Bestellnr.: 130113

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Transistor BC548B, NPN, 30 V, 0,5 A, TO92
Transistor BC548B, NPN, 30 V, 0,5 A, TO92
Kleinleistungstransistor BC548B, NPN, Uces 30 V, Uceo 30 V, Ic 100 mA, Ptot 500 mW, hFE 200...450, TO-92.
Bestellnr.: 130110

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Power-MOSFET IRF9622
Power-MOSFET IRF9622
P-Channel, VDS 200 V, VDGR 200 V, ID 3 A, IDM 12 A, RDS(ON) 1,5 Ohm, TO-220.
Bestellnr.: 130754

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Transistor BC546B, NPN, 65 V, 0,1 A, 0,5 W, TO92
Transistor BC546B, NPN, 65 V, 0,1 A, 0,5 W, TO92
Kleinleistungstransistor BC546B, NPN, VCEO 65 V, VCBO 80 V, IC 0,1 A, Ptot 0,5 W, hFE 240...500, TO-92.
Bestellnr.: 130651

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J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semiconduktor, J111, N-Channel, TO-92
J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semiconduktor, J111, N-Channel, TO-92
Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper-Verstärker; Impedanzwandler (Fotodioden); NF/(HF)-Verstärker;Konstantstrom-Quellen; Steuerbare Widerstände in Regelschaltungen;Gitarrenverstärker usw.; Montage THT.Weitere J-FETs für diese
Bestellnr.: 131491

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J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semiconduktor, J175, P-Channel, TO-92
J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semiconduktor, J175, P-Channel, TO-92
Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper-Verstärker.Impedanzwandler; Konstantstromquellen; steuerbare Widerstände in Regelschaltungen usw; Montage THT.Weitere J-FETs für diese Anwendungen: J176; (N-Ch.: J111; J112; J113).Technische
Bestellnr.: 131493

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Leistungstransistor 2N3055
Leistungstransistor 2N3055
NF/S-L, 100 V, 15 A, 115 W, > 2,5 MHz, TO-3.
Bestellnr.: 130056

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Transistor BC337-16, NPN, 45 V, 0,8 A, TO92
Transistor BC337-16, NPN, 45 V, 0,8 A, TO92
Kleinleistungstransistor BC337-16, NPN, 45 V, 0,8 A, 200 MHz, hFE 100...250, TO-92.
Bestellnr.: 130455

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Leistungs-MOSFET IRF4905PBF
Leistungs-MOSFET IRF4905PBF
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 55 V, 74 A, 200 W, 0,02 Ohm, TO-220AB.
Bestellnr.: 131124

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Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRLZ34NPBF
Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRLZ34NPBF
Uds 55 V, Id25 30 A, Rds(on) 0,035 Ohm, Ugs(th) 1 V, td(on) 8,9 ns, td(off) 21 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 30
Bestellnr.: 131320

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Leistungs-MOSFET IRF530NPBF
(1)
Leistungs-MOSFET IRF530NPBF
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 17 A, 70 W, 0,09 Ohm, TO-220AB.
Bestellnr.: 131116

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J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semikonduktor, BF256B, N-Channel, TO-92
J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semikonduktor, BF256B, N-Channel, TO-92
Für HF Verstärker aller Art, bis in den UHF-Bereich (ca. 1000 MHz);Montage THT.Technische Daten:- U DG max:30 V- U GS max: -30 V- I GF max: 10 mA- U GS-off: -0,5 … -8 V- I DSS min: 6 … 13 mA- g fs: 4,5 mA/V @ UGS = 0V; UDS = 15 V- P V max:
Bestellnr.: 131494

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Transistor, DIOTEC, Kleinsignal, BC557CBK
Transistor, DIOTEC, Kleinsignal, BC557CBK
Technische Daten:- Polung: PNP - Gehäuse: TO92 - U-max: 45V - I-max: 0,1A - P-max: 0,5W
Bestellnr.: 131085

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Transistor KT819G
(1)
Transistor KT819G
Si-Leistungstransistor aus russischen Beständen .Technische Daten:- Ausführung: NPN- Uce max: 100 V- Ueb max: 5 V- Ic max: 10 A- Ib max: 3 A- Pc max: 60 W- hFE: 15- Sperrschichttemperatur: 125 °C- Gehäusebauform: TO-220-
Bestellnr.: 131134

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IGBT INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4BC30WPBF
IGBT INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4BC30WPBF
Uces 600 V, Ics25 23 A, Icpuls 92 A, Ptot 100 W, Ugeth 3 V, tdon 25 ns, tdoff 99 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: IGBT- Bauform: TO-220AB- max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 600 V- max. Continuous Collector Current at
Bestellnr.: 131170

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J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semiconduktor, J113, N-Channel, TO-92
J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semiconduktor, J113, N-Channel, TO-92
Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper-Verstärker; Impedanzwandler (Fotodioden); NF/(HF)-Verstärker;Konstantstrom-Quellen; Steuerbare Widerstände in Regelschaltungen;Gitarrenverstärker usw.; Montage THT.Weitere J-FETs für diese
Bestellnr.: 131478

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Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund; EVERLIGHT
Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund; EVERLIGHT
Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss. RoHS konform.Technische Daten:- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm- Empfindlichkeit: 0,7 … 4,0 mA … 7,1 mA @ 1 mW/cm², VCE= 5 V- Öffnungswinkel: k.A.
Bestellnr.: 131490

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J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semiconduktor, J112, N-Channel, TO-92
J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semiconduktor, J112, N-Channel, TO-92
Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper Verstärker; Impedanzwandler (Fotodioden); NF/(HF)-Verstärker;Konstantstrom-Quellen; Steuerbare Widerstände in Regelschaltungen;Gitarrenverstärker usw.; Montage THT.Weitere J-FETs für diese
Bestellnr.: 131492

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Transistor, BD137-16
Transistor, BD137-16
Technische Daten:- Polung: NPN - Gehäuse: TO126 - U-max: 60V - I-max: 1,5A - P-max: 8W
Bestellnr.: 130198

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35% reduziert
Hochspannungs-Leistungstransistor BU508AT
Hochspannungs-Leistungstransistor BU508AT
NPN, VCES 1500 V, VCEO 700 V, IC 8 A, PC 60 W, TO-220.
Bestellnr.: 130427

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Transistor BC549C, NPN, 30 V, 0,1 A, TO92
Transistor BC549C, NPN, 30 V, 0,1 A, TO92
Kleinsignaltransistor BC549C, NPN, 30/30 V, 0,1 A, 625 mW, TO-92.
Bestellnr.: 130659

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40% reduziert
Transistor, G20N60B3D, IGBT, 40A, 600V
Transistor, G20N60B3D, IGBT, 40A, 600V
G20N60B3D - 40 A, 600 V, UFS Series N-Channel IGBT mit Anti-Parallel Hyperfast Diode - TO247
Bestellnr.: 130905

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J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semiconduktor, J176, P-Channel, TO-92
J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semiconduktor, J176, P-Channel, TO-92
Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper-Verstärker.Impedanzwandler; Konstantstromquellen; steuerbare Widerstände in Regelschaltungen usw; Montage THT.Weitere J-FETs für diese Anwendungen: J175; (N-Ch.: J111; J112; J113).Technische
Bestellnr.: 131495

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Transistor BC558C, PNP, 30 V, 0,1 A, TO92
Transistor BC558C, PNP, 30 V, 0,1 A, TO92
Kleinleistungstransistor BC558C, PNP, UCES 30 V, UCBO 30 V, IC 100 mA, Ptot 500 mW, hFE 420...800,
Bestellnr.: 130014

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27% reduziert
Transistor RFT SF359
Transistor RFT SF359
NPN, 300/300 V, 0,3 A, 6 W, 60 MHz,
Bestellnr.: 130229

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FET SPB11N60C3, N-Channel, 650V, D2PAK
FET SPB11N60C3, N-Channel, 650V, D2PAK
SPB11N60C3 - N-Channel, 650 V, 11 A, 0,38 Ohm - D2PAK
Bestellnr.: 131021

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Transistor; Leistung, TBD139.16
Transistor; Leistung, TBD139.16
Technische Daten:- Polung: NPN - Gehäuse: TO126 - U-max: 80V - I-max: 1,5A - P-max: 8W
Bestellnr.: 131093

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Transistor BD241C, NPN, 100V, 3A, 40W, TO220
Transistor BD241C, NPN, 100V, 3A, 40W, TO220
Leistungstransistor BD241C, NPN, 100V, 3A, 40W, TO220
Bestellnr.: 130288

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Transistor TIP3055, NPN 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247
(1)
Transistor TIP3055, NPN 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247
Leistungstransistor TIP3055, NPN 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247
Bestellnr.: 130326

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Transistor BC556B, PNP, 80 V, 0,1 A, TO92
Transistor BC556B, PNP, 80 V, 0,1 A, TO92
Kleinleistungstransistor BC556B, PNP, Uces 80 V, Ucbo 80 V, Ic 100 mA, Ptot 500 mW, hFE 200...450,
Bestellnr.: 130363

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17% reduziert
BF1009SW
BF1009SW
Tetrode, N-Channel, 1 GHz, 9 V. SOT343. 10 Stück
Bestellnr.: 130854

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Transistor, Darlington, BC517
Transistor, Darlington, BC517
Technische Daten:- Polung: NPN- Gehäuse: TO92 - U-max: 30V - I-max: 0,5A - P-max: 0,62W
Bestellnr.: 131090

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Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRLZ44NPBF
Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRLZ44NPBF
Uds 55 V, Id25 47 A, Rds(on) 0,022 Ohm, Ugs(th) 1 V, td(on) 11 ns, td(off) 26 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 47 A
Bestellnr.: 131321

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Transistor, ON Semiconductor, Kleinsignal, BC550CBU
Transistor, ON Semiconductor, Kleinsignal, BC550CBU
Technische Daten:- Polung: NPN - Gehäuse: TO92 - U-max: 45V - I-max: 0,1A - P-max: 0,5W
Bestellnr.: 131086

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Leistungs-MOSFET SI4532CDY
Leistungs-MOSFET SI4532CDY
Leistungs-MOSFET-Schalter, SMD, N+P-Channel, 30 V/ -30 V, 6,0/4,3 A, 1,78 W, SO8.
Bestellnr.: 131108

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Leistungs-MOSFET IRF540NBBF
Leistungs-MOSFET IRF540NBBF
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 33 A, 130 W, 0,044 Ohm, TO-220AB.
Bestellnr.: 131117

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30% reduziert
SMD Transistor BF820W
SMD Transistor BF820W
NPN, 300/300 V, 50 mA, 200 mW,
Bestellnr.: 131139

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Kleinleistungs-Transistor RFT SS218D
Kleinleistungs-Transistor RFT SS218D
"Miniplasttransistor" aus ehemaligen DDR-Beständen. VCEO 15 V, VCBO 20 V, IC 0,1 A, Ptot 0,2 W, hFE 112...280,
Bestellnr.: 131430

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Fototransistor PT204-6C; NPN; Tageslicht und Infrarot; 3 mm rund; EVERLIGHT
Fototransistor PT204-6C; NPN; Tageslicht und Infrarot; 3 mm rund; EVERLIGHT
Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.Technische Daten:- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm- Empfindlichkeit: 0,7 … 2,0 typ … 5,07 mA @ 1mW/cm², VCE= 5V- Öffnungswinkel: k. A.
Bestellnr.: 131487

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40% reduziert
Transistor, BD138-16
Transistor, BD138-16
Technische Daten:- Polung: PNP - Gehäuse: TO126 - U-max: 60V - I-max: 1,5A - P-max: 8W
Bestellnr.: 130329

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Transistor BD 250, TO-218, 125 W
Transistor BD 250, TO-218, 125 W
Leistungstransistor, PNP, Uces 100 V, Ic 25 A, Ptot 125 W, hFE >10 V, TO-218
Bestellnr.: 130404

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