ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J111, N-Channel, TO-92
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- N-Kanal J-FET Transistor, TO-92 Gehäuse
- Maximale Gate-Source Spannung: -35V
- Maximale Gate-Drain Stromstärke: 50mA
- Gate-Source Offset-Spannung: -3 bis -10V
- Drain-Source Sperrstrom: 20mA
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Konstantstrom-Quellen; Steuerbare Widerstände in Regelschaltungen;
Gitarrenverstärker usw.; Montage THT.
Weitere J-FETs für diese Anwendungen: J112; J113; (P-Ch.: J175; J176).
Technische Daten:
- U DG max:35 V
- U GS max: -35 V
- I GF max: 50 mA
- U GS-off: -3 … -10 V
- I DSS min: 20 mA
- g fs: typ. 30 mA/V @ U DS = 15 V; U GS = 0V
- t on / t d on: siehe Datenblatt
- t off / t d off: siehe Datenblatt
- R DS on max:30 Ohm
- Rauschen: 3,5 nV/Sqrt Hz @ I D = 1 mA; f=1kHz
- P V max: 625 mW @ 25°C – 5 mW/°C
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28. September 2022 14:55
Ersatzteil für Fender Verstärker
Der FET wird in Fender- oder Anderen Röhrenverstärkern eingesetzt (z.B. Blues Junior). Er dient als gesteuerter Widerstand, hier zusammen mit dem Kathodenkondensator als gesteuerter Schalter zur Verringerung der Gegenkoppelung. Dank des eher geringen Kanalwiderstand im Anwendungsfall besser einsetzbar als BF 245 oder ähnlich.