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Artikelnummer: 141002

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S30AH

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD5S30AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S30AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S24AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S28AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S33AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S36AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S43AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S14AH
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Artikelnummer: 141013
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Schottky-Diode 1N5822, 3 A/40 V
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Artikelnummer: 936059
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Diode 1N4007, axial
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Artikelnummer: 140020
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Produktinformationen "TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S30AH"
Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.

Technische Daten:

  • Arbeitsspannung: 30 V
  • Breakdown-Spannung min/max: 33,3/36,8 V
  • Peak Pulse Power Pppm: 6600 W
  • Peak Pulse Current Ipp: 136 A
  • Peak Forward Voltage: 1,8 V
  • Clamping Voltage @ Ippm: 48,4 V

Verfügbare Downloads

Dioden-Typ: TVS-Diode
Farbe: schwarz
Menge: 1 St.
Nennspannung max.: 30 V

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