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Artikel-Nr.: 131478
ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J113, N-Channel, TO-92
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Top-Features:
- N-Kanal J-FET Transistor, TO-92 Gehäuse
- Maximale Gate-Source Spannung: -35V
- Maximale Gate-Drain Stromstärke: 50mA
- Gate-Source Offset-Spannung: -0,5 bis -3V
- Drain-Source Sperrstrom: 2mA
Produktinformationen "ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J113, N-Channel, TO-92"
Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper-Verstärker; Impedanzwandler (Fotodioden); NF/(HF)-Verstärker;
Konstantstrom-Quellen; Steuerbare Widerstände in Regelschaltungen;
Gitarrenverstärker usw.; Montage THT.
Weitere J-FETs für diese Anwendungen: J111; J112; (P-Ch.: J175; J176).
Konstantstrom-Quellen; Steuerbare Widerstände in Regelschaltungen;
Gitarrenverstärker usw.; Montage THT.
Weitere J-FETs für diese Anwendungen: J111; J112; (P-Ch.: J175; J176).
Technische Daten:
- U DG max:35 V
- U GS max: -35 V
- I GF max: 50 mA
- U GS-off: -0,5 … -3 V
- I DSS min: 2 mA
- g fs: typ. 15 mA/V @ UGS = 0V; UDS = 15 V
- t on / t d on: siehe Datenblatt
- t off / t d off: siehe Datenblatt
- R DS on max:100 Ohm
- Rauschen: 3,5 nV/Sqrt Hz @ I D = 1 mA; f=1kHz
- P V max: 625 mW @ 25°C – 5 mW/°C
Verfügbare Downloads
| Farbe: | schwarz / silber |
|---|---|
| Gehäuse: | TO92 |
| Menge: | 1 St. |
| Transistor-Typ: | N-Channel |
| Zustand: | Neu |
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Angaben zum Hersteller (Informationspflichten zur GPSR Produktsicherheitsverordnung)
Semiconductor Components Industries, LLC, 5701 N Pima Rd Scottsdale, 85250-2634 Arizona, US, privacy@onsemi.com
Angaben zur verantwortlichen Person (Informationspflichten zur GPSR Produktsicherheitsverordnung)
EVE GmbH, Anni-Albers Straße 15, 48282 Emsdetten, DE, info@eve.de